[发明专利]用于双衬底封装的方法和装置有效
| 申请号： | 200480027142.1 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1853271A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | C·鲁马;K·辛格 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示了具有在其内部形成的直通通道的半导体管芯。第一导电层在所述管芯的正面形成而耦合至所述直通通道的第二导电层在所述管芯的背面形成。第一封装衬底电气耦合至所述第一导电层，而第二封装衬底电气耦合至所述第二导电层。在另一个实施例中，衬底球电气耦合至所述第一和第二封装衬底。在又一个实施例中，倒转凸起可附在所述第二封装衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 封装 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：具有其中形成直通通道的半导体管芯；在所述管芯的正面形成的第一互连以及耦合至所述直通通道的所述管芯背面上形成的第二互连；以及电气耦合至所述第一互连的第一封装衬底以及电气耦合至所述第二互连的第二封装衬底。
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