[发明专利]导电凸起的设计和方法有效
| 申请号： | 200480027161.4 | 申请日： | 2004-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1853263A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | M·玻尔;S·巴拉克利施南;V·杜宾 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/288 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 涉及管芯封装的方法、技术和结构。在一个典型实现中，管芯封装互连结构包括半导体衬底以及与所述半导体衬底接触的第一导电层。该第一导电层可包括基极层金属(230)。所述基极层金属可包括Cu。该典型实现还包括与所述第一导电层接触的扩散阻挡物(225)以及在所述扩散阻挡物之上的润湿层。凸起层(215)可位于所述润湿层之上，其中所述凸起层包括Sn并且Sn可被电镀。此外，所述扩散阻挡物还适于抑制凸起层中类晶须的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 凸起 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：半导体衬底；与所述半导体衬底接触的第一导电层，所述第一导电层包括基极层金属，所述基极层金属包括Cu；与所述第一导电层接触的扩散阻挡物；在所述扩散阻挡物之上的润湿层；以及在所述润湿层之上的凸起层，所述凸起层包括Sn，所述Sn凸起层被电镀，所述扩散阻挡物适于防止Cu和Sn扩散通过所述扩散阻挡物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
