[发明专利]划线期间的保护层无效
| 申请号： | 200480027179.4 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1856866A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | S·沙兰;T·德邦尼斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法包括在电路基片表面上的多个暴露接触件上形成化学可溶涂层；沿着划线区将基片表面划线；以及在划线后，去除所述涂层的一部分。一种方法包括形成表面上包括多个暴露接触件的电路结构，所述暴露接触件的位置由多个划线道限定；形成包括暴露接触件上的化学可溶材料的涂层；沿着划线道对基片表面划线；以及在划线后去除该涂层。一种方法包括用化学可溶材料涂布包括多个暴露接触件的电路基片表面；沿着划线区将基片表面划线；去除涂层以及将划线区中的基片锯开。 | ||
| 搜索关键词： | 划线 期间 保护层 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在电路基片表面上的多个暴露接触件上形成化学可溶涂层；沿着划线区将基片表面划线；以及在划线后，去除所述涂层的一部分。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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