[发明专利]具有分段磁性写入线的MRAM阵列无效
| 申请号： | 200480027328.7 | 申请日： | 2004-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1856836A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 臧大化 | 申请（专利权）人： | 磁旋科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性随机存取存储器(MRAM)阵列以及制造该MRAM阵列的方法。该MRAM阵列包括磁性存储单元、全局字线、磁性字线、读取位线、选择器件和写入位线。每条磁性字线具有数个段。每个段与全局字线连接，使得每个段可分别选择。每个段还连接到磁性字线的一部分。读取位线通过选择器件与磁性单元连接。写入位线基本上平行于读取位线。优选地，磁性字线包括软磁材料，并通过薄的非磁性层连接到每个磁性存储单元。为了降低全局字线中电流的干扰，全局字线还基本上平行于磁性字线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分段 磁性 写入 mram 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存取存储器阵列，包括：多个磁性存储单元；多条全局字线；多条磁性字线，所述多条磁性字线的每一条具有多个段，所述多个段的每一段与所述多条全局字线的至少一条连接，使得所述多个段的每一段可分别选择，所述多个段的每一段连接到所述多个磁性存储单元的一部分；多条读取位线，相对于所述多条磁性字线成一角度而定向；多个选择器件，所述多条读取位线通过所述多个选择器件与所述多个磁性单元连接；以及多条写入位线，基本上平行于所述多条读取位线。
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