[发明专利]高密度只读光盘及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200480027356.9 申请日: 2004-09-22
公开(公告)号: CN1856827A 公开(公告)日: 2006-11-01
发明(设计)人: 金铉基;金朱镐;尹斗燮;黄仁吾 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11B7/24 分类号: G11B7/24
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 韩明星;李云霞
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 关于最近开发的许多介质,最大的看点就是容量。本发明提供了一种高密度只读光盘,该高密度只读光盘包括:基底,该基底具有根据单位信息而长度不同的坑,其中,坑的深度随着坑长度增加而增加;掩模层,包含金属氧化物或者精细金属颗粒和介电材料的混合物。由于坑深度根据坑长度而改变,所以高密度只读光盘可用于读取不大于读取分辨率极限的坑,并且得到了最佳的CNR。同样,本发明提供了一种高密度只读光盘的制备方法,该方法可用来制备具有基于坑长度的最佳坑深度的高密度只读光盘。
搜索关键词: 高密度 只读 光盘 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种高密度只读光盘,包括:基底,具有根据单位信息而长度不同的多个坑,其中,所述多个坑中的坑的深度随着所述坑的坑长度的增加而增加;掩模层,包含:金属氧化物,或者精细金属颗粒和介电材料的混合物。
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