[发明专利]高密度只读光盘及其制备方法无效
申请号: | 200480027356.9 | 申请日: | 2004-09-22 |
公开(公告)号: | CN1856827A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 金铉基;金朱镐;尹斗燮;黄仁吾 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;李云霞 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 关于最近开发的许多介质,最大的看点就是容量。本发明提供了一种高密度只读光盘,该高密度只读光盘包括:基底,该基底具有根据单位信息而长度不同的坑,其中,坑的深度随着坑长度增加而增加;掩模层,包含金属氧化物或者精细金属颗粒和介电材料的混合物。由于坑深度根据坑长度而改变,所以高密度只读光盘可用于读取不大于读取分辨率极限的坑,并且得到了最佳的CNR。同样,本发明提供了一种高密度只读光盘的制备方法,该方法可用来制备具有基于坑长度的最佳坑深度的高密度只读光盘。 | ||
搜索关键词: | 高密度 只读 光盘 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高密度只读光盘,包括:基底,具有根据单位信息而长度不同的多个坑,其中,所述多个坑中的坑的深度随着所述坑的坑长度的增加而增加;掩模层,包含:金属氧化物,或者精细金属颗粒和介电材料的混合物。
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