[发明专利]用于冗余功率系统的有源或运算控制器

摘要

本发明涉及一种或运算二极管，其用于功率冗余。为了减少由于二极管正向压降而引起的功率损耗，提出用有源或运算功率MOSFET(M1、M2)来代替二极管。利用有源或运算控制器(30)和功率MOSFET(M1、M2)，功率损耗容易降低90％。为了使N沟道MOSFET(M)当其处于反向时象二极管一样工作，并且当处于正向时具有很小的正向压降，提供了一种或运算控制器(30)。针对速度、稳定性和抗扰性来优化它的偏移、滞后和传输延迟时间。在或运算示范板中测试它的或运算功能。它的FET校验特征对或运算功率MOSFET(M1、M2)进行有效检查，以提高冗余功率系统的可靠性。

主权项

1.一种用于控制冗余功率系统中功率MOSFET的有源或运算控制器，所述控制器包括：比较器电路，用于检测跨越功率MOSFET的第一主端子和第二主端子两端的电压差，且将所述的电压差与第一预定电平进行比较；以及控制电路，其接收所述比较器电路的输出，并且输出施加到所述功率MOSFET的栅极端的控制信号；所述控制信号具有一个值，使得响应落在所述预定电平以下的所述电压差而断开所述功率MOSFET，且在其它时间导通所述功率MOSFET。