[发明专利]使用高密度等离子体化学气相沉积填充缝隙的方法和沉积材料的方法有效
| 申请号： | 200480027564.9 | 申请日： | 2004-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1856870A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | N·R·吕格尔;W·布奇;李卫民;G·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;段晓玲 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在半导体基底中填充缝隙的方法。在反应室中提供基底和含有至少一种重氢化合物的气体混合物。使该气体混合物反应而通过同时进行的层沉积和蚀刻在基底上形成材料层。该材料层填充缝隙，使得缝隙内的材料是基本上没有间隙的。本发明包括提供改善沉积速率均匀性的方法。材料在至少一种选自D2、HD、DT、T2和TH的气体的存在条件下沉积在表面上。在沉积期间净沉积速率横跨表面具有的偏差程度在其他方面基本上相同的条件下相对于使用H2沉积发生的偏差程度获得了可测得的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 高密度 等离子体 化学 沉积 填充 缝隙 方法 材料 | ||
【主权项】：
1.一种用于在基底上沉积层的方法，包括：在高密度等离子体反应室中提供基底；向该反应室中供给至少一种具有重氢同位素成分的化合物；在该反应室中产生高密度等离子体；和在基底上化学气相沉积层，该层引入了至少一种所述化合物的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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