[发明专利]消除晶片上缺陷的影响的方法

摘要

本发明涉及一种用于消除晶片上缺陷的影响的方法，所述缺陷由与硅晶片的表面相邻的空腔引起，本发明所基于的任务在于，提供一种用于消除晶片上缺陷的影响的方法，利用该方法可实现防止薄的位置处的栅氧化层击穿和制造时的成本降低。根据本发明，该任务由此来解决，即：在第一工艺步骤中，在硅晶片的表面上和在与该表面相邻的空腔中涂敷第一绝缘层；在第二工艺步骤中，用牺牲层覆盖所涂敷的第一绝缘层；在第三工艺步骤中，这样进行选择性回蚀牺牲层，使得与表面相邻的空腔被牺牲层填充；在第四工艺步骤中，直接在第一绝缘层上涂敷第二绝缘层；以及在随后的工艺步骤中，在第二绝缘层上涂敷导电层。

主权项

1.用于消除晶片上的缺陷的影响的方法，所述缺陷由与硅晶片的表面相邻的空腔引起，其特征在于，在第一工艺步骤中，在硅晶片(1)的表面上和在与该表面相邻的空腔(2)中涂敷第一绝缘层(3)；在第二工艺步骤中，用牺牲层(4)覆盖所涂敷的第一绝缘层(3)；在第三工艺步骤中，这样进行选择性回蚀该牺牲层(4)，使得与该表面相邻的空腔(2)被该牺牲层(4)填充；在第四工艺步骤中，直接在该第一绝缘层(3)上涂敷第二绝缘层(5)；以及在随后的工艺步骤中，在该第二绝缘层(5)上涂敷导电层(6)。