[发明专利]制造具有降低的欧姆损耗的多层半导体结构的方法无效
| 申请号： | 200480027816.8 | 申请日： | 2004-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1856873A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | D·莱德拉;J·P·拉斯金 | 申请（专利权）人： | 卢万天主教大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 比利时卢万*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造以相对于标准的多层结构具有降低的欧姆损耗为特征的多层半导体结构的方法。该半导体结构包括电阻率大于3k Ω·cm的高电阻率硅衬底、有源半导体层以及在硅衬底和有源半导体层之间的绝缘层。该方法包括，通过相对于现有技术器件增加在绝缘层和硅衬底之间的电荷阱密度来抑制在高电阻率硅衬底内的欧姆损耗。尤其是，这可以通过在硅衬底和绝缘层之间施加中间层来获得，该中间层包括具有一定尺寸的晶粒，其中中间层的晶粒的平均尺寸小于150nm，优选小于50nm。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 降低 欧姆 损耗 多层 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造多层半导体结构的方法，所述多层半导体结构包括电阻率高于3kΩ.cm的高电阻率硅衬底、有源半导体层及在所述硅衬底和所述有源半导体层之间内的绝缘层，其中，该方法包括，通过增加所述绝缘层和所述硅衬底之间的电荷阱密度来抑制在所述高电阻率硅衬底内的欧姆损耗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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