[发明专利]氮化物半导体元件和其制造方法无效
| 申请号： | 200480027878.9 | 申请日： | 2004-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1856915A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 川口靖利;岛本敏孝;石桥明彦;木户口勋;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层，其中，所述p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层；和包含Mg的第二p型氮化物半导体层，所述第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，所述第二p型氮化物半导体层具有比所述第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480027878.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于运行电动工具机的方法
- 下一篇：等离子显示面板的制造方法
