[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200480027991.7 | 申请日： | 2004-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1860829A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 池田寿雄;坂田淳一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H05B33/14;H05B33/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露了一种能在低驱动电压下工作，并且与传统的发光元件相比具有较长使用期的发光元件以及这种发光元件的制造方法。披露的发光元件在一对电极之间含有复合层；复合层中至少有一层含有选自半导体氧化物、金属氧化物的化合物以及具有较高空穴输送性质的化合物。这种发光元件能抑制含有一种选自半导体氧化物、金属氧化物的化合物以及具有较高空穴输送性质的化合物的层的结晶。由此，可以延长发光元件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.发光元件，包含：在一对电极之间形成的层，其特征在于，该层含有选自半导体氧化物及金属氧化物的化合物，以及空穴迁移率大于或等于10-6cm2/Vs的化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480027991.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
