[发明专利]连接同轴传输线与共面传输线的装置

摘要

同轴传输线(1)具有同轴内导体(2)和包围同轴内导体(1)的第一介电层(3)，该第一介电层(3)在其方面由同轴外导体(4)包围。共面传输线(5)具有第二介电层(9)，在该第二介电层(9)的正面上涂敷有共面内导体(6)以及第一和第二共面外导体(7，8)，而该第二介电层(9)的背面具有随后为衬底载体涂层(11)的金属化层(10)。第一和第二共面外导体(7，8)通过第二介电层(9)与共面内导体(6)分开，并且同轴内导体(2)与共面内导体(6)连接，而同轴外导体(4)与第一和第二共面外导体(7，8)连接。在通过同轴传输线(1)和共面传输线(5)的连接点传输高比特率数据信号时会出现容性传播常数的放大，并由此产生不希望的反射。这通过在金属化层(10)中设置凹槽(12)来避免，该凹槽(12)从同轴传输线(1)与共面传输线(5)之间的连接点开始且相对共面内导体(6)大体对称地延伸，该凹槽(12)在共面内导体(6)的方向上随着距连接点的距离的增加而逐渐变尖。

主权项

1.用于连接同轴传输线(1)与共面传输线(5)以传输高比特率数据信号的装置，-其中，所述同轴传输线(1)具有同轴内导体(2)和包围所述同轴内导体(2)的第一介电层(3)，所述第一介电层(3)在其方面由同轴外导体(4)包围，-其中，所述共面传输线(5)具有第二介电层(9)，在所述第二介电层(9)的正面上涂敷有共面内导体(6)以及第一和第二共面外导体(7，8)，并且所述第二介电层(9)的背面具有随后为衬底载体涂层(11)的金属化层(10)，-其中，所述第一和第二共面外导体(7，8)通过所述第二介电层(9)与所述共面内导体(6)分开，-其中，所述同轴内导体(2)与所述共面内导体(6)连接，而所述同轴外导体(4)与所述第一和第二共面外导体(7，8)连接，其特征在于，所述金属化层(10)具有凹槽(12)，所述凹槽(12)从所述同轴传输线(1)与所述共面传输线(5)之间的连接点开始且相对所述共面内导体(6)大体对称地延伸，所述凹槽(12)在所述共面内导体(6)的方向上随着距所述连接点的距离的增加而逐渐变尖。