[发明专利]金属－绝缘体－金属电容器及制造方法

摘要

一种用于MIM电容器的方法和结构，所述结构包括：电子器件，其包括：在半导体衬底上形成的层间介电层；在层间介电层中形成的铜底部电极，所述底部电极的上表面与所述层间介电层的上表面共面；直接与所述底部电极的上表面接触的导电扩散阻挡层；直接与导电扩散阻挡层的上表面接触的MIM电介质；以及直接与MIM电介质的上表面接触的顶部电极。所述导电扩散阻挡层可以凹进所述铜底部电极中，或者可以提供附加的凹陷导电扩散阻挡层。还公开了相容电阻器和对齐标志结构。

主权项

1.一种电子器件，包括：在半导体衬底上形成的层间介电层；在所述层间介电层中形成的铜底部电极，所述底部电极的上表面与所述层间介电层的上表面共面；直接与所述底部电极的所述上表面接触的导电扩散阻挡层；直接与所述导电扩散阻挡层的上表面接触的MIM电介质；以及直接与所述MIM电介质的上表面接触的顶部电极。