[发明专利]精密多晶硅电阻器工艺有效
| 申请号： | 200480028359.4 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1860591A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | D·D·库尔鲍;H·L·格里尔;R·M·拉塞尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于制造精密多晶硅电阻器的工艺，该工艺可以精确控制所制造的多晶硅电阻器的表面电阻率的容差。该工艺通常包括对具有部分形成的多晶硅电阻器的晶片实施发射极/FET激活快速热退火(RTA)，随后在多晶硅(56)上沉积保护介质层(62)，将杂质(64)穿过保护介质层注入到多晶硅(56)中以限定多晶硅电阻器的电阻，并形成硅化物(66)。 | ||
| 搜索关键词： | 精密 多晶 电阻器 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造精密多晶硅电阻器的方法，包括以下步骤：提供包括至少一个多晶硅电阻器器件区域和至少一个其它类型器件区域的结构，所述至少一个多晶硅电阻器器件区域包括多晶硅层；在所述至少一个其它类型器件区域中选择地进行离子注入和激活退火；形成保护介质层，覆盖所述至少一个多晶硅电阻器器件区域中的所述多晶硅层；以及向在所述至少一个多晶硅电阻器器件区域中的所述多晶硅层提供预定电阻值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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