[发明专利]高频用磁性薄膜及其制作方法、及磁元件无效
| 申请号： | 200480028393.1 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1860561A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 崔京九;村濑琢 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/16 | 分类号： | H01F10/16;H01F10/13 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;邹雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在衬底(4)上交替地层叠Co系非晶合金层(2)、和该Co系非晶合金(2)的自然氧化层(3)从而形成多层膜(1)。通过使自然氧化层(3)在该多层膜(1)总体的体积中占的比例为5～50％，就得到能够在GHz频带的高频域利用的高频用磁性薄膜及磁元件。也可以交替地层叠具有成膜时磁场外加方向成为易磁化轴的性质的Co系非晶合金层(2)、和该Co系非晶合金的自然氧化层(3)从而形成多层膜(1)，该形成的多层膜(1)的易磁化轴与多层膜(1)在成膜时的磁场外加方向正交。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 磁性 薄膜 及其 制作方法 元件 | ||
【主权项】：
1.一种高频用磁性薄膜，其是包括Co系非晶合金层、和该Co系非晶合金的氧化层的多层膜，其特征在于，上述氧化层在上述多层膜总体的体积中占的比例是5～50％。
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