[发明专利]固体表面平坦化方法及其装置有效
| 申请号： | 200480028495.3 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1860593A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 佐藤明伸;铃木晃子;伊曼纽尔·布雷尔;松尾二郎;瀬木利夫;青木学聪 | 申请（专利权）人： | 日本航空电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种通过在固体表面上辐照气体簇离子束平坦化固体表面的方法，其中由固体表面和气体簇离子束所形成的辐照角度θ被设定在1°和小于30°之间。当固体表面相当粗糙时，作为第一步，首先将第一辐照角度设定为约90°并把束辐照在固体表面上。然后，作为第二步，把辐照角度设定为1°到小于30°，并把束辐照在固体表面上以提高处理效率。或者把第一步和第二步的组合重复多次。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 表面 平坦 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种利用气体簇离子束来平坦地修整固体表面的方法，包括：辐照所述气体簇离子束的过程，其方式为，在所述气体簇离子束辐照过程的至少一部分时间期间内使得由所述固体表面和所述气体簇离子束形成的角度小于30°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
