[发明专利]用于动态表面退火工艺的吸收层无效
| 申请号： | 200480028747.2 | 申请日： | 2004-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN1864247A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 卢克·范·奥特里维;颗里斯·D·本彻;迪安·詹宁斯;梁海凡;阿比斯拉斯·J·玛尤尔;马克·亚姆;温迪·H·耶胡;查理德·A·布拉夫 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种处理衬底的方法，包括在衬底上沉积一包括无定形碳的层，然后在足够将该层加热到至少约300℃的温度条件下，将该衬底暴露在具有一种或者多种介于约600nm到约1000nm波长的电磁辐射中。可选的，该层进一步包括选自包含氮、硼、磷、氟或者其组合的组的掺杂剂。一方面，该包括无定形碳的层为一抗反射涂层和吸收电磁辐射并退火该衬底的上表面层的吸收层。一方面，该衬底在激光退火工艺中暴露在电磁辐射中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 动态 表面 退火 工艺 吸收 | ||
【主权项】：
1、一种处理衬底的方法，包括：在所述衬底上沉积一包括无定形碳的层；然后在足够将所述层加热到至少约300℃的温度条件下，将所述衬底暴露在电磁辐射中，所述电磁辐射具有一种或者多种介于约600nm到约1000nm波长。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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