[发明专利]具有降低工艺变化敏感度的成像器光电二极管电容器结构有效
| 申请号： | 200480028774.X | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1864240A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | B·A·麦克卢尔 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 像素单元具有两个串联电容器，其中每个电容器的电容接近外围电容器的电容，以使串联电容器的有效电容小于每个外围电容器的电容。串联电容器连接到浮动扩散(FD)区，用于在饱和状态期间接收来自FD区的“剩余”电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 工艺 变化 敏感度 成像 光电二极管 电容器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种像素单元，包括：光敏器件；电荷收集区，连接到所述光敏器件，用于接收由所述光敏器件产生的电荷；以及至少两个存储电容器，其相互串联，所述串联电容器还与所述电荷收集区串联，用于接收来自所述电荷收集区的电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
