[发明专利]垂直磁性记录介质、其制造方法及磁性读取/写入装置无效
| 申请号： | 200480028831.4 | 申请日： | 2004-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN1864205A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 前田知幸;及川壮一;岩崎刚之;中村太;酒井浩志;清水谦治;坂胁彰 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65;G11B5/738;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种垂直磁性记录介质，包括：衬底；在所述衬底上方形成的至少一个底层；以及在所述至少一个底层上方形成的垂直磁性记录层，该垂直磁性记录层的容易磁化轴垂直于所述衬底，该垂直磁性记录层包括磁性晶体微粒和包围该磁性晶体微粒的颗粒边界，其中所述颗粒边界包含具有硅氧化物和从由Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba组成的组中选出的至少一个元素，以及垂直磁性记录层中的Si、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba的物质的总量的比例不小于1mol％，且不大于20mol％。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 磁性 记录 介质 制造 方法 读取 写入 装置 | ||
【主权项】：
1、一种垂直磁性记录介质，包括：衬底；在所述衬底上形成的至少一个底层；以及在所述至少一个底层上形成的垂直磁性记录层，该垂直磁性记录层的易磁化轴垂直于所述衬底，该垂直磁性记录层包括磁性晶体微粒和包围该磁性晶体微粒的颗粒边界，其中所述颗粒边界包含硅氧化物和从由Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba组成的组中选出的至少一个元素，以及所述垂直磁性记录层中的Si、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr和Ba的物质的总量的比例不小于1mol％，且不大于20mol％。
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