[发明专利]聚硅氧烷基电介质涂层和膜在光致电压中的应用无效

专利信息
申请号: 200480028839.0 申请日: 2004-06-18
公开(公告)号: CN1863882A 公开(公告)日: 2006-11-15
发明(设计)人: 季米特里斯·卡佐里斯;须藤隆道 申请(专利权)人: 道康宁公司
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;H01B3/46;H01L31/0392
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙皓晨
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种在导电衬底上使用的电介质涂层,包括具有如下通式的聚硅氧烷组合物:[RxSiO (4-x)/2] n,其中x=1-4,R包括甲基,或苯基,或氢基,或羟基或烷氧基或它们的组合(当1<x<4)。R也可以包括其它一价原子团,独立地选自烷基或芳基基团,芳基醚,烷基醚,烷基酰胺,芳基酰胺,烷基氨基和芳基氨基原子团。电介质涂层具有网状结构。同时也公开了一种光伏衬底,它包括具有电介质涂层的导电材料,该电介质涂层处于导电材料的表面上。
搜索关键词: 聚硅氧 烷基 电介质 涂层 致电 中的 应用
【主权项】:
1.一种在导电衬底上使用的电介质涂层,包括:具有如下通式的聚硅氧烷组合物:[RSiO(4-x)/2]n其中x=1-4,并且R包括选自甲基、苯基、氢基、羟基、烷氧基基团或上述组合中的基团,或一价原子团独立地选自烷基、芳基、烷基酰胺、芳基酰胺、烷基氨基基团和芳基氨基原子团(当1<x<4);所述的电介质涂层具有网状结构。
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