[发明专利]在半导体制造工艺中形成低K电介质的方法有效
| 申请号： | 200480029071.9 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1864251A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·N·杜甘;莱斯利·A·斯密斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低K电介质复合层(26，28)，由低K阻挡层(26)和阻挡层(26)上的低K电介质层(28)形成。采用氧等离子体处理阻挡层(26)以使表面从疏水性转变为亲水性，所述阻挡层(26)沉积的结果是具有疏水性的顶部表面。随后的水基清洗对于去除由于阻挡层(26)的表面转变而产生的阻挡层(26)上使成品率减少的缺陷是非常有效的。在水基清洗之后，在阻挡层(26)的表面上形成低K电介质层(28)，从而实现具有低K的复合层(26，28)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 工艺 形成 电介质 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体衬底上方形成层的方法，包括：提供半导体衬底；在所述衬底的上方形成第一电介质层，所述电介质层包括疏水性的表面；转变所述疏水性表面为亲水性表面；擦洗所述亲水性表面；和在所述第一电介质层上方形成第二电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
