[发明专利]有序波形纳米结构形成方法（多个方案）

摘要

用于形成有序波形纳米结构的方法，该方法在于：用均匀分子氮离子N₂⁺流溅射半导体材料，直到在材料表面形成所述纳米结构的波峰方向垂直于离子入射平面的周期性波形纳米结构；为了增长纳米结构波幅，用O₂⁺离子流在与N₂⁺轰击平面相重合的轰击平面进行补充溅射；选择O₂⁺离子轰击能量及角度以便使在用N₂⁺和O₂⁺单独照射时形成的波形纳米结构的波长相重合。对砷化物、镓和硅结构还提出了3个形成有序波形纳米结构的变体。

主权项

1、形成有序波形纳米结构的方法，其包含用均匀分子氮离子N2+流溅射半导体材料，直到在材料表面形成波峰方向垂直于离子入射平面的周期性波形纳米结构，该方法的特征在于：使用砷化镓作为半导体材料，在用氮离子N2+溅射后用氧离子O2+流对已形成的波形纳米结构进行补充溅射，同时，氧离子入射平面与氮离子入射平面相重合，并选择离子入射的能量和角度以便使在用氮和氧离子单独照射时波形纳米结构的波长重合。