[发明专利]具有多层处理腔室的清洗衬底的装置以及使用该装置清洗衬底的方法有效
申请号: | 200480029395.2 | 申请日: | 2004-10-07 |
公开(公告)号: | CN1864250A | 公开(公告)日: | 2006-11-15 |
发明(设计)人: | 林钟显;赵重根;具教旭;方寅浩;金禹泳;吴满锡;金贤钟 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于对诸如半导体晶片的衬底进行清洗的装置,包括装载/卸载部分、在其中使晶片从水平状态转换为垂直状态的对准部分、对晶片执行蚀刻处理、漂洗和干燥处理并具有多个堆叠的处理腔室的清洗部分、以及其中设置有使得晶片在处理腔室之间移动的移动槽的接口部分。当晶片在处理腔室之间移动时,移动槽填充有去离子水(DI水),以避免晶片暴露到空气中。从装载/卸载部分中取出的晶片从水平状态转换为垂直状态,并移动到作为处理腔室的其中之一的第一处理腔室,以接受一部分处理。在晶片移动到作为另一个处理腔室的第二处理腔室以接受另一部分处理之后,它们从垂直状态转换为水平状态。也就是说,晶片沿着循环路线移动来进行处理。 | ||
搜索关键词: | 具有 多层 处理 清洗 衬底 装置 以及 使用 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有多层结构的衬底清洗装置,包括:清洗部分,包括多个具有至少一个处理槽的处理腔室,衬底在所述处理槽中进行清洗,所述清洗部分还包括移动设备,其中:所述处理腔室是堆叠的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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