[发明专利]用于激光删除钨熔丝的布线保护元件有效
申请号: | 200480029416.0 | 申请日: | 2004-10-14 |
公开(公告)号: | CN1864261A | 公开(公告)日: | 2006-11-15 |
发明(设计)人: | W·T·莫特西夫;C·D·马齐 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;刘瑞东 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于在通过聚焦辐射(52)的熔丝体删除期间保护电结构(25)的结构和相关方法。所述结构(1)包括熔丝元件(2)、保护板(10)、第一介质层(14),以及第二介质层(4)。结构(1)在半导体装置(5)中形成。保护板(10)利用镶嵌工艺在第一介质层(14)中形成。第二介质层(4)在保护板(10)和第一介质层(14)上形成。熔丝元件(2)在第二介质层(4)上形成。熔丝元件(2)适于通过激光束(52)切断。第二介质层(4)的介电常数大于第一介质层(14)的介电常数。保护板(10)适于保护第一介质层(14)不受来自激光束(52)的能量。 | ||
搜索关键词: | 用于 激光 删除 钨熔丝 布线 保护 元件 | ||
【主权项】:
1.一种电结构,包括:熔丝,保护板,第一介质层和第二介质层,其中所述电结构存在于半导体装置中,所述保护板存在于所述第一介质层中,所述第二介质层在所述保护板和所述第一介质层上形成,所述熔丝在所述第二介质层上形成,所述熔丝适于通过激光束切断,所述第二介质层的介电常数大于所述第一介质层的介电常数,以及所述保护板适于保护所述第一介质层不受所述激光束的能量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的