[发明专利]在光刻胶去除过程中最小化阻障材料损失的方法无效
| 申请号： | 200480029601.X | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1868039A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 拉奥·安纳普勒格德;朱海伦 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种从集成电路(IC)结构上去除光刻胶层的方法，所述IC结构包括刻蚀的电介质层和暴露的覆盖铜内连线的阻障层，所述阻障层的构成材料是，如氮化硅或碳化硅。所述方法包括将包含一氧化碳(CO)的第一混合气通入反应器，在所述反应器内生成等离子体，选择性地去除光刻胶层，而对所述暴露的阻障层只有微量的刻蚀或没有刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 过程 最小化 阻障 材料 损失 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从集成电路(IC)结构上去除光刻胶层的方法，所述IC结构包括刻蚀的电介质层和暴露的阻障层，其中，所述电介质层是含硅和氧的材料，所述阻障层的构成材料是氮化硅或碳化硅，所述方法包括：将包含一氧化碳(CO)的第一混合气通入反应器；在所述反应器内生成等离子体；选择性地去除所述光刻胶层，而对所述暴露的阻障层只有微量的刻蚀或没有刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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