[发明专利]制作结的方法以及采用该方法形成的已加工材料无效
| 申请号： | 200480029733.2 | 申请日： | 2004-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1868035A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木雄一朗;金成国;水野文二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 方法 以及 采用 形成 加工 材料 | ||
【主权项】：
1.一种制作结的方法，其包括：在半导体衬底的表面上形成薄膜，所述薄膜含有能够在半导体衬底内部被电激活的元素；以及在所述半导体衬底上施加在大于375nm(包括)的波长处具有强度峰值的光，从而对所述薄膜进行有选择地激励，由此对所述薄膜内部的所述元素进行电激活。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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