[发明专利]具有三个电气隔离的电极的晶体管及形成方法有效
| 申请号： | 200480029738.5 | 申请日： | 2004-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1868067A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 莱奥·马修;拉马钱德兰·穆拉利德哈 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/788 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成了一种晶体管(10)，其具有三个分离可控的栅极(44、42、18)。这三个栅极区域可进行不同的电气偏置，并且该栅极区域可以具有不同的传导属性。沟道侧壁上的介质可以不同于沟道上面的介质。选择性地实现针对源极、漏极和三个栅极的电接触。通过包括与晶体管沟道相邻的电荷存储层，诸如纳米团簇(143、144)，并且经由三个栅极区域控制该电荷存储层，使用相同的工艺实现了易失和非易失存储器单元，产生了通用的存储器工艺。在被实现作为易失单元时，晶体管的高度和沟道侧壁的介质的属性控制存储保持特性。在被实现作为非易失单元时，晶体管的宽度和上面的沟道介质的特性控制存储保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 三个 电气 隔离 电极 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成半导体结构，该半导体结构包括顶表面、第一侧壁和同第一侧壁相对的第二侧壁；形成第一栅极结构和第二栅极结构，其中第一栅极结构被安置为同第一侧壁相邻，并且第二栅极结构被安置为同第二侧壁相邻；形成第三栅极结构，其安置在顶表面上，其中第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构在物理上相互分离。
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