[发明专利]等离子体灰化方法有效
| 申请号： | 200480029808.7 | 申请日： | 2004-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1868043A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | C·华德费得;O·伊斯寇希亚;韩清源;T·布克雷;P·沙克席威尔 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;刘玥 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在低k材料存在时从半导体衬底除去光刻胶的基本不含氧和不含氮的等离子体灰化方法，包括通过暴露等离子体气体组合物到能源形成等离子体来形成反应性物质。所述等离子体气体组合物基本不含含氧和含氮气体。通过暴露光刻胶到基本不含氧和氮的反应性物质，等离子体从包含低k材料的底层衬底选择性除去光刻胶。该方法可用于含碳的低k介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 灰化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从包含低k材料的半导体衬底上选择性除去光刻胶和/或有机罩面层的等离子体灰化方法，该方法包括：通过暴露等离子体气体组合物到能源以形成等离子体来形成反应性物质，其中该等离子体基本不含反应性氮物质和反应性氧物质；和暴露其上具有光刻胶和/或有机罩面层的衬底到反应性物质以选择性除去光刻胶和/或有机罩面层，并留下与暴露衬底到反应性物质前基本相同的低k材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
