[发明专利]注入或联合注入后由冲击引发薄层自持转移的方法

摘要

本发明涉及一种薄层自持转移方法，根据该方法，－在相对于源基片一个表面的一给定深度，以一定的剂量往该源基片中注入至少一种物类的离子，－将一个加强件与该源基片紧密接触，－在给定的温度给定的时间下，向该源基片施加热处理，以便基本上在给定的深度产生一个脆弱化的内埋区域，而不引发薄层的热脱离，－以时间上局部化的方式向该源基片施加一个受控能量脉冲，以便引发被界定在表面与脆弱化埋层之间的薄层相对于该源基片的其余部分的自持脱离。

主权项

1.一种薄层自持转移方法，根据所述方法：-准备一个源基片，-向该源基片中相对于其一表面的一给定深度处以第一剂量注入至少第一物类的离子或气体，该第一物类适于产生缺陷，-将一个加强件与该源基片紧密接触，-对该源基片在给定温度下进行给定时间的热处理，以便在基本上给定的深度建立一个脆弱化的内埋区域，但并不引发该薄层的热脱离，-对该源基片施加一个能量脉冲，以便引发一个被界定在该表面与脆弱化埋层之间的薄层相对于该源基片的其余部分自持脱离。