[发明专利]压电单晶、压电单晶元件及其制造方法

摘要

通过在镁铌酸铅－钛酸铅(PMN－PT)单晶或锌铌酸－钛酸铅(PZN－PT或PZNT)单晶中添加特定的添加物，提供一种压电特性优良且价格低廉的复合钙钛矿结构的压电单晶元件等。具体而言，压电单晶具有复合钙钛矿结构，是一种含有35～98mol％的镁铌酸铅[Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃]或锌铌酸铅[Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃]、0.1～64.9mol％的钛酸铅[PbTiO₃]以及0.05～30mol％的铟铌酸铅[Pb(In_1/2Nb_1/2)O₃]的组成物，其特征在于：该组成物中的0.05～10mol％的铅被置换为钙。

主权项

1.一种复合钙钛矿结构的压电单晶，是含有35～98mol％的镁铌酸铅[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]或锌铌酸铅[Pb(Zn1/3Nb2/3)O3]、0.1～64.9mol％的钛酸铅[PbTiO3]以及0.05～30mol％的铟铌酸铅[Pb(In1/2Nb1/2)O3]的组成物，该组成物中的0.05～10mol％的铅被置换为钙。