[发明专利]金属－碳化硅欧姆接触的局部退火及其形成的装置有效
| 申请号： | 200480030245.3 | 申请日： | 2004-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1868036A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | D·B·小斯拉特;J·A·埃蒙德;M·多诺弗里奥 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/268;H01L21/263;H01L33/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于半导体装置的接触可以通过以下形成：在碳化硅(SiC)衬底上形成金属，对SiC衬底和金属的界面位置进行退火以因此形成金属－SiC材料，并避免在SiC衬底位置上的退火进而避免形成金属－SiC材料。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 碳化硅 欧姆 接触 局部 退火 及其 形成 装置 | ||
【主权项】：
1.一种形成用于半导体装置的欧姆接触的方法，包括：在碳化硅(SiC)层上形成金属；和对SiC层和金属的界面位置进行退火因此形成金属-SiC材料，并避免在SiC层上的位置进行退火以避免因此形成金属-SiC材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
