[发明专利]用于形成硅·钴膜的组合物、硅·钴膜及其形成方法有效
| 申请号： | 200480030494.2 | 申请日： | 2004-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN1868037A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 松木安生;王道海;酒井达也;岩泽晴生 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/288;B05D3/00;B32B15/01;C01B33/04;C07F17/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邰红;邹雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种不需要高价的真空装置或高频发生装置、并且制造成本低的用于形成硅·钴膜的组合物和方法。所述用于形成硅·钴膜的组合物含有硅化合物和钴化合物。将该组合物涂布在基体上，通过热和光进行处理时，形成硅·钴膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 组合 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成硅·钴膜的组合物，其特征在于，含有硅化合物和钴化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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