[发明专利]具有结构化波导的面发射半导体激光器

摘要

本发明的目的在于提高一种面发射半导体激光器的单模性能，所述激光器包括掩埋隧道结，且其中所述隧道结层(6)配备有孔径，该孔径具有一定的直径(w1)和一定的深度(d1)，同时该孔径被n掺杂电流输运层(7)覆盖，使得相邻的电流输运层(7)在孔径区域内配备有升高部分(15)，该升高部分具有升高部分直径(w2)和升高部分深度(d2)。所述目的通过这样的结构实现，其中，在电流输运层(7)上至少围绕所述升高部分(15)的横向区域提供结构化层(8；9)，选择所述结构化层(8；9)的厚度(d3；d4)，使得其光学厚度至少等于所述升高部分深度(d2)的区域中的电流输运层(7)的光学厚度。

主权项

1.一种面发射半导体激光器，包括：有源区(4)，所述有源区具有pn结和被第一n掺杂半导体层(3)和至少一个p掺杂半导体层(5)所包围；以及所述有源区(4)的p侧上的隧道接触层(6)，其中所述隧道接触层(6)包括具有孔径直径(w1)和孔径深度(d1)的孔径并被n掺杂电流输运层(7)覆盖，于是相邻的电流输运层(7)在所述孔径的区域内包括具有升高部分直径(w2)和升高部分深度(d2)的升高部分(15)，在所述电流输运层(7)上至少围绕所述升高部分(15)的横向区域提供结构化层(8；9)，选择结构化层(8；9)的厚度(d3；d4)，使得所述结构化层的光学厚度至少等于所述升高部分深度(d2)的区域中的所述电流输运层(7)的光学厚度。