[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置(100)，包括低电位基准电路区域(1)和高电位基准电路区域(2)，且所述高电位基准电路区域(2)被高耐压隔离区域(3)包围。通过在所述高耐压隔离区域(3)的外周中形成的沟槽(4)，所述低电位基准电路区域(1)和所述高电位基准电路区域(2)相互隔离。此外，所述沟槽(4)用绝缘材料填满，使得所述低电位基准电路区域(1)和所述高电位基准电路区域(2)之间绝缘。所述高耐压隔离区域(3)被所述沟槽(4)分隔，在所述被分隔位置中提供高耐压NMOS(5)或高耐压PMOS(6)。

主权项

1.一种半导体装置，包括信号在其间传输的低电位基准电路区域和高电位基准电路区域，所述半导体装置包括：高耐压隔离区域，设置在所述低和高电位基准电路区域之间；中继半导体器件，用于从所述低和高电位基准电路区域中的一个向它们中的另一个传输信号；以及绝缘分隔物，设置在所述低和高电位基准电路区域中的至少一个与所述中继半导体器件之间，所述绝缘分隔物在沟槽中用绝缘材料填充，其中所述中继半导体器件的输出布线跨过所述绝缘分隔物被布线到所述低和高电位基准电路区域中的输出区域。