[发明专利]采用栅控电荷存储的成像无效
申请号: | 200480030758.4 | 申请日: | 2004-08-18 |
公开(公告)号: | CN1871709A | 公开(公告)日: | 2006-11-29 |
发明(设计)人: | 洪性权 | 申请(专利权)人: | 微米技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;张志醒 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种像素单元,其中包括用于产生电荷的光电转换装置和由控制栅控制的、存储光生电荷的栅控电荷存储区。所述电荷存储区可以是单个的具有埋入沟道的CCD台,以实现高效的电荷转移和较低的电荷损失。所述电荷存储区与某一晶体管的栅极相邻。所述晶体管的栅极又与所述光转换装置相邻,它和所述控制栅一起将光生电荷从所述光转换装置转移到所述电荷存储区。 | ||
搜索关键词: | 采用 电荷 存储 成像 | ||
【主权项】:
1.一种像素单元,包括:产生电荷的光电转换装置;由控制栅控制的、存储光生电荷的栅控电荷存储区;以及其栅极在所述光电转换装置和所述电荷存储区之间的第一晶体管,用以将光生电荷从所述光电转换装置转移到所述电荷存储区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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