[发明专利]用于增强存储器单元耐久性的方法和系统无效
| 申请号： | 200480030765.4 | 申请日： | 2004-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1871592A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | J·陈;P·S·吴;T·王 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/28 | 分类号： | G06F13/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 集成电路设备(10)包括与存储管理数据的多个标记单元(F1和F2)相关联的多个非易失性存储器单元(V1和V2)。标记单元(F1和F2)的管理数据构成一数据集。该数据集用来确定对多个存储器单元(V1和V2)中的哪个存储器单元写入新数据，并从存储器单元(V1和V2)中的哪一个来读取当前存储数据。在新值被写入指定存储器单元的任何时候，该数据集被变成不同的数据集，以指示接着要写入交替存储器单元并且接着从交替存储器单元读取。在数据集的每次后续改变时，数据集可通过交替地将新值写入不同的标记单元来改变。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 存储器 单元 耐久性 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种存储系统包括：集成电路中的多个非易失性存储器单元，所述多个非易失性存储器单元与多个标记单元相关联；用于建立包括存储在所述多个标记单元中的管理数据的当前数据集的装置，所述当前数据集指示要将新值写入所述多个非易失性存储器单元中的哪一个，以及要从所述多个非易失性存储器单元者的哪另一个读取当前存储值；以及用于在将新值写入所指示的非易失性存储器单元的任何时候改变所述当前数据集的装置，以指示接着要写入交替的存储器单元，以及接着要从交替的存储器单元中读取。
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