[发明专利]利用基于晶闸管的像素单元的成像阵列无效
申请号: | 200480030871.2 | 申请日: | 2004-10-20 |
公开(公告)号: | CN101421849A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | G·W·泰勒 | 申请(专利权)人: | 康涅狄格大学;欧宝公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L31/0352 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘春元;梁 永 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种改善的成像阵列(及相应的操作方法)包括设置在形成在衬底上的谐振腔内的基于异质结晶闸管的多个像素单元。每个基于晶闸管的像素单元包括彼此隔开的互补型n型和p型调制掺杂量子阱界面。预定波长范围内的入射辐射在给定像素单元的腔内谐振以在其中吸收,该吸收引起电荷积累。积累电荷与入射辐射的强度有关。基于异质结晶闸管的像素单元适于多种成像应用,包括基于CCD的成像阵列和有源像素成像阵列。 | ||
搜索关键词: | 利用 基于 晶闸管 像素 单元 成像 阵列 | ||
【主权项】:
1. 一种成像器件,包括:多个像素单元,每个像素单元包括形成在衬底上的谐振腔内并彼此隔开的互补型第一类型和第二类型调制掺杂量子阱界面,其中预定波长范围内的电磁辐射在所述像素单元处被接收并注入到所述谐振腔内,由此产生积累到所述像素单元的所述第二类型调制掺杂量子阱界面内的电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的