[发明专利]具有增强的共模抑制的薄膜声耦合变压器有效
| 申请号： | 200480030889.2 | 申请日： | 2004-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1871768A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | J·D·拉森三世;S·L·艾利斯;N·萨克西克 | 申请（专利权）人： | 阿瓦戈科技通用IP（新加坡）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/58 | 分类号： | H03H9/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;魏军 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 薄膜声耦合变压器(FACT)(200)具有第一(106)和第二(108)去耦层叠体声谐振器(DSBAR)。每个DSBAR具有下部薄膜体声谐振器(FBAR)(110)、在下部FBAR顶部的上部FBAR(120)和在它们之间的声去耦器(130)。每个FBAR具有对置的平面电极(112，114)和在电极之间的压电元件(116)。第一电路(141)互连第一DSBAR和第二DSBAR的下部FBAR(110，150)。第二电路(142)互连第一DSBAR和第二DSBAR的上部FBAR(120，160)。在至少一个DSBAR中，声去耦器和与该声去耦器相邻的每个下部FBAR和上部FBAR的一个电极构成寄生电容(Cp)。该FACT另外还具有与该寄生电容并联电连接的电感器(180)。该电感器提高FACT的共模抑制比。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 抑制 薄膜 耦合 变压器 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜声耦合变压器(FACT)，包括：第一去耦层叠体声谐振器(DSBAR)和第二DSBAR，每个DSBAR包括：下部薄膜体声谐振器(FBAR)和上部FBAR，该上部FBAR层叠在该下部FBAR的顶上，每个FBAR包括对置的平面电极和在该电极之间的压电元件，和在FBAR之间的声去耦器；互连该下部FBAR的第一电路；和互连该上部FBAR的第二电路；其中：在至少一个DSBAR中，该声去耦器、与该声去耦器相邻的下部FBAR的一个电极以及与该声去耦器相邻的上部FBAR的一个电极构成寄生电容；和该FACT另外包括与该寄生电容并联电连接的电感器。
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