[发明专利]薄膜声耦合变压器

摘要

薄膜声耦合变压器FACT的一个实施例(100)具有去耦层叠体声谐振器DSBAR，该DSBAR具有下部薄膜体声谐振器FBAR(110)、层叠在该下部FBAR上的上部FBAR(120)和在FBAR之间包括声去耦材料层(131)的声去耦器(130)。每个FBAR 110具有对置的平面电极(112，114)和在它们之间的压电元件(116)。该FACT另外还具有电连接到一个FBAR的电极的第一端子(132，134)和电连接到另一个FBAR的电极的第二端子(136，138)。另一个实施例(200)具有去耦层叠体声谐振器DSBAR(106，108)，如上所述，每个DSBAR具有互连下部FBAR的第一电路和互连上部FBAR的第二电路。该FACT提供了阻抗变换，能够用平衡电路连接单端电路，反之亦然，并且在初级和次级之间提供电隔离。某些实施例以其它方式获得电平衡。

主权项

1、一种薄膜声耦合变压器(FACT)，包括：去耦层叠体声谐振器(DSBAR)，包括：下部薄膜体声谐振器(FBAR)、层叠在下部FBAR上的上部FBAR，每个FBAR包括对置的平面电极和在该电极之间的压电元件，和在该FBAR之间，包括声去耦材料层的声去耦器；电连接到下部FBAR的电极的第一端子；和电连接到上部FBAR的电极的第二端子。