[发明专利]垂直有机场效应晶体管

摘要

提出了一种垂直有机场效应晶体管，所述晶体管包括共享公共源极电极的有源单元和电容器。所述有源单元包括夹在漏极电极和公共源极电极之间的半导体层。所述电容器包括夹在栅极电极和公共源极电极之间的电介质层。所述公共源极电极允许通过控制施加到栅极电极上的电位来实现对源极和漏极电极之间的电流的控制。

主权项

1、一种半导体器件，包括：漏极电极，包括外部表面和内部表面；栅极电极，包括外部表面和内部表面；源极电极，包括定义了所述源极电极的厚度的第一表面和第二表面；半导体层，位于所述漏极电极和所述源极电极之间，其中所述半导体层与所述漏极电极的所述内部表面以及所述源极电极的所述第一表面电接触；以及电介质层，位于所述栅极电极和所述源极电极之间，其中所述电介质层与所述栅极电极的所述内部表面以及所述源极电极的所述第二表面电接触，并且所述源极电极的厚度小到足以通过控制施加到所述栅极电极的电位，提供对所述源极和漏极电极之间的电流的控制。