[发明专利]晶片水平壕沟结构无效

专利信息
申请号: 200480030957.5 申请日: 2004-09-27
公开(公告)号: CN1906746A 公开(公告)日: 2007-01-31
发明(设计)人: 迈克尔·E·约翰森;彼得·埃勒纽斯;金德勋 申请(专利权)人: 倒装晶片技术有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种晶片水平CSP(200)包括至少一个来自晶片的单元片(202)。该晶片水平CSP具有多个焊接球焊垫(206),在每个焊接球焊垫上有一个焊接球(308),并且每个焊接球被一个聚合物挡圈(310)包围。在制造该晶片水平CSP期间,在位于晶片上的聚合物层(412)的表面上形成一个壕沟(204)。来自聚合物挡圈的暂时液化的残余物(502)从聚合物挡圈流出,这是在将晶片加热到焊接球的回流温度时发生的。该壕沟起材料流动屏障的作用,限制残余物在液化状态下扩散的距离。来自聚合物挡圈的残余物被壕沟限定在一个区域(314)内。全深壕沟完全穿过聚合物层。选择地,部分深度的壕沟(712和912)部分地穿过聚合物层。应当理解,根据37C.E.R及1.72(b)节,摘要并不代表或限制权利要求的范围或意义。
搜索关键词: 晶片 水平 壕沟 结构
【主权项】:
1.一种集成电路的芯片级封装,包括(a)至少一个焊接球焊垫;和(b)围绕每个焊接球焊垫的壕沟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于倒装晶片技术有限公司,未经倒装晶片技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480030957.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code