[发明专利]晶片水平壕沟结构无效
申请号: | 200480030957.5 | 申请日: | 2004-09-27 |
公开(公告)号: | CN1906746A | 公开(公告)日: | 2007-01-31 |
发明(设计)人: | 迈克尔·E·约翰森;彼得·埃勒纽斯;金德勋 | 申请(专利权)人: | 倒装晶片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种晶片水平CSP(200)包括至少一个来自晶片的单元片(202)。该晶片水平CSP具有多个焊接球焊垫(206),在每个焊接球焊垫上有一个焊接球(308),并且每个焊接球被一个聚合物挡圈(310)包围。在制造该晶片水平CSP期间,在位于晶片上的聚合物层(412)的表面上形成一个壕沟(204)。来自聚合物挡圈的暂时液化的残余物(502)从聚合物挡圈流出,这是在将晶片加热到焊接球的回流温度时发生的。该壕沟起材料流动屏障的作用,限制残余物在液化状态下扩散的距离。来自聚合物挡圈的残余物被壕沟限定在一个区域(314)内。全深壕沟完全穿过聚合物层。选择地,部分深度的壕沟(712和912)部分地穿过聚合物层。应当理解,根据37C.E.R及1.72(b)节,摘要并不代表或限制权利要求的范围或意义。 | ||
搜索关键词: | 晶片 水平 壕沟 结构 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路的芯片级封装,包括(a)至少一个焊接球焊垫;和(b)围绕每个焊接球焊垫的壕沟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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