[发明专利]多层薄膜有效
申请号: | 200480031184.2 | 申请日: | 2004-10-20 |
公开(公告)号: | CN1871125A | 公开(公告)日: | 2006-11-29 |
发明(设计)人: | 山崎昌博;田中英明;稻叶祐策 | 申请(专利权)人: | 株式会社吴羽 |
主分类号: | B32B27/30 | 分类号: | B32B27/30 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种多层薄膜,其具有含多价金属化合物层与聚合物层(A)的一面或两面相邻接的层结构,所述聚合物层含有含羧基聚合物和该含羧基聚合物的多价金属盐,该聚合物层具有浓度倾斜结构,所述浓度倾斜结构是该聚合物层中的含羧基聚合物多价金属盐的浓度,从与含多价金属化合物层邻接的面开始在厚度方向上连续减少的结构,而且,根据该聚合物层的红外吸收光谱求得的峰比A1560/A1700为大于等于0.25。 | ||
搜索关键词: | 多层 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种多层薄膜,具有含多价金属化合物层(B)与聚合物层(A)的一面或两面相邻接的层结构,所述聚合物层(A)含有含羧基聚合物和该含羧基聚合物的多价金属盐,其特征在于,(1)聚合物层(A)具有浓度倾斜结构,即聚合物层(A)中的含羧基聚合物多价金属盐的浓度,从与含多价金属化合物层(B)的邻接面开始在厚度方向上连续减少的结构,而且,(2)根据聚合物层(A)的红外线吸收光谱求得的峰比A1560/A1700为大于等于0.25,所述峰比A1560/A1700是波数1560cm-1处的吸收峰高A1560 与波数1700cm-1处的吸收峰高A1700的峰高比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社吴羽,未经株式会社吴羽许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480031184.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。