[发明专利]包括具有提高的线性和可制造性的FET的BiFET

摘要

根据一个示例性实施例，一种位于衬底上的BiFET，包括位于所述衬底上方的发射极层部分，其中所述发射极层部分包括第一类型的半导体。所述HBT还包括蚀刻停止层的第一部分，其中所述蚀刻停止层的所述第一部分包括InGaP。所述BiFET还包括位于所述衬底上方的FET，其中所述FET包括源极和漏极区域，其中所述蚀刻停止层的第二部分位于所述源极和漏极区域之下，以及其中所述蚀刻停止层的所述第二部分包括InGaP。所述FET还包括第二类型的半导体层，其位于所述蚀刻停止层的所述第二部分之下。所述蚀刻停止层提高了所述FET的线性，且没有降低所述HBT中的电子电流。

主权项

1.一种位于衬底上的BiFET，所述BiFET包括：HBT，位于所述衬底上方，所述HBT包括：发射极层部分，位于所述衬底上方，所述发射极层部分包括第一类型的半导体；蚀刻停止层的第一部分，位于所述发射极层部分上方，所述蚀刻停止层的所述第一部分包括InGaP；FET，位于所述衬底上方，所述FET包括：源极和漏极区域，所述蚀刻停止层的第二部分位于所述源极和漏极区域之下，所述蚀刻停止层的所述第二部分包括InGaP；第二类型的半导体层，位于所述FET中所述蚀刻停止层的所述第二部分之下；其中所述蚀刻停止层提高了所述FET的线性，以及其中所述蚀刻停止层没有降低所述HBT中的电子电流。