[发明专利]半导体存储器件及其刷新方法无效
| 申请号： | 200480031221.X | 申请日： | 2004-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1871663A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 砂永登志男;宫武久忠;细川浩二 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 为了提供一种在常规存取操作期间能够插入刷新操作并且能够设定内部循环时间长于外部循环时间的一半的DRAM，本发明提供一种半导体存储器件及其刷新方法。地址选择器(18)选择存取行地址信号ERA或刷新行地址信号RRA。行解码器控制电路(16)响应所选的行地址信号RA选择分割存储单元阵列后得到的组块之一，并通过行解码器电路22选择字线。当对该一个组块开始操作时，激活忙信号/BUSY以禁止由地址选择器18执行选择。当操作结束时，使忙信号/BUSY无效以取消对地址选择器18的选择的禁止。因此，优先执行行地址信号ERA或RRA中较早输入的一个，并使随行地址信号ERA或RRA中后输入的一个等待，直到在先操作结束为止。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 刷新 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，包括多条字线；刷新装置，用于产生刷新请求并随之生成刷新地址；地址选择装置，用于响应存取请求而选择存取地址，所述地址选择装置响应所述刷新请求而从所述多个刷新地址中选择刷新地址；字线选择装置，用于响应由所述地址选择装置选择的地址而从所述多条字线中选择字线；和选择停止装置，用于在所述存储单元阵列中正在进行存取或刷新的同时，停止由所述地址选择装置执行的地址选择。
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