[发明专利]化合物半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 200480031316.1 | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1871699A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 秦雅彦;小野善伸;上田和正 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/329;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供化合物半导体基板的制造方法，包含以下的工序(a)～(e)。(a)在基板(1)上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、与基板(1)接触一侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在通过工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体基板的制造方法，其中，包含以下的工序(a)～(e)：(a)在基板(1)之上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上，接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、和与基板(1)接触侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在由工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面，接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，而取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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