[发明专利]用于从衬底去除光刻胶的方法和设备无效
| 申请号： | 200480031340.5 | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1871554A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩;稻沢刚一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在等离子体处理系统中从衬底去除光刻胶的方法和系统，包括：引入包含NxOy的处理气体，其中x和y表示大于或者等于1的整数。此外，处理化学物可以还包括添加的惰性气体，诸如稀有气体(即He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn)。本发明还描述了一种用于在衬底上的薄膜中形成特征的方法，其中该方法包括：在衬底上形成介电层；在介电层上形成光刻胶图案；通过刻蚀将光刻胶图案转移到介电层；以及利用由包含NxOy的处理气体形成的等离子体从介电层去除光刻胶，其中x和y是大于或者等于1的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 去除 光刻 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于从衬底去除光刻胶的方法，包括：将所述衬底放置于等离子体处理系统中，所述衬底具有形成于其上的介电层，所述光刻胶上覆于所述介电层，其中所述光刻胶提供用于将特征刻蚀到所述介电层中的掩模；引入包含NxOy的处理气体，其中x和y是大于或者等于1的整数；在所述等离子体处理系统中由所述处理气体形成等离子体；以及利用所述等离子体从所述衬底去除所述光刻胶。
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