[发明专利]使用自傲互连材料的半导体器件封装有效
| 申请号： | 200480031396.0 | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1871701A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 马丁·斯坦丁 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;方挺 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体封装，包括：传导容器(48)；半导体管芯(40)，容纳在容器内部，并在管芯一侧连接至内部；至少一个互连结构(19’)，形成于半导体管芯的另一侧上；以及钝化层(50)，绕互连结构而设置在半导体管芯的所述另一侧，并至少延伸至所述容器。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 自傲 互连 材料 半导体器件 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，包括：半导体器件，在其第一表面上具有第一电极，在其第二表面上；传导容器，包括内部和至少一个壁，所述壁包括适用于外部电连接的外连接表面；传导粘合剂，设置在所述第一电极和所述内部之间，以将所述内部机电地连接到所述第一电极，从而将所述半导体器件附着到所述内部，并与所述至少一个壁隔开；导电互连结构，机电地连接到所述第二电极；以及钝化层，形成于所述第二电极上方，并设置在所述半导体器件和所述至少一个壁之间的空间内，其中，所述互连结构延伸通过所述钝化结构。
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