[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200480031544.9 | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1871690A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/288;H01L21/768;H01L29/786;G09F9/00;G09F9/30;H05B33/04;H05B33/10;H05B33/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种用于制造半导体器件的方法，在方法中，能够防止由膜形成之前的表面形状产生的台阶所引起的断开，控制在大尺寸基板上形成绝缘膜的成本的增加，提高材料的使用效率，和减少废物量。在本发明中，通过滴注包括绝缘体的合成物形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上选择性地形成第二绝缘膜，通过使用第二绝缘膜作为掩膜，来刻蚀第一绝缘膜以形成开口。其后，通过在开口上滴注合成物形成导电膜，且将其中具有绝缘膜的下层引线和上层引线互相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：通过滴注包括绝缘体的合成物形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；通过在所述第二绝缘膜上进行曝光和显影形成掩膜图形；以及通过使用所述第二绝缘膜作为掩膜，通过刻蚀所述第一绝缘膜形成开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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