[发明专利]近红外线屏蔽膜有效
申请号: | 200480031592.8 | 申请日: | 2004-10-26 |
公开(公告)号: | CN1871532A | 公开(公告)日: | 2006-11-29 |
发明(设计)人: | 大宅太郎 | 申请(专利权)人: | 帝人杜邦菲林日本株式会社 |
主分类号: | G02B5/22 | 分类号: | G02B5/22;G02B5/28;B32B27/36 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 孙秀武;邹雪梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供层间附着性高、基本上透明、可在宽带域范围将近红外线高度屏蔽、且不发生电磁波干扰的近红外线屏蔽膜。该近红外线屏蔽膜是含有第1积层膜部分和第2积层膜部分的多层积层膜,这些积层膜均为第1层和第2层交替积层而成,但是构成第2积层膜部分的全部层的平均厚度是构成第1积层膜部分的全部层的平均厚度的1.05~1.6倍。 | ||
搜索关键词: | 红外线 屏蔽 | ||
【主权项】:
1.近红外线屏蔽膜,其特征在于含有第1积层膜部分和第2积层膜部分,所述第1积层膜部分是第1层和第2层交替积层,总计包含101层以上而成的,所述第1层含有熔点在250~260℃范围、且主重复单元含有对苯二甲酸乙二酯的第1芳香族聚酯,厚度在0.1~0.2μm范围,所述第2层含有熔点在200~245℃范围、且主重复单元含有对苯二甲酸乙二酯的第2芳香族聚酯,厚度在0.09~0.22μm范围,其中,第2芳香族聚酯的熔点比第1芳香族聚酯的熔点低15~60℃,且在相邻的第1层和第2层的组合中,第2层的厚度在第1层的厚度的0.9~1.1倍范围的组合为70%以上;所述第2积层膜部分的第1层和第2层平均厚度在第1积层膜部分中第1层和第2层平均厚度的1.05~1.6倍的范围,其他构成与规定第1积层膜部分的上述构成相同。
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