[发明专利]将纳米蚀刻作为构图手段来制造导电图案的方法无效
| 申请号： | 200480031670.4 | 申请日： | 2004-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1875469A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 小珀西·范登·克罗克;利内特·德默斯;纳比尔·A.·阿姆鲁;罗伯特·埃勒加尼安 | 申请（专利权）人： | 纳米墨水公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;B32B3/00;B32B27/14;B05D1/36;B05D5/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 美国伊利诺*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种使用针尖形成金属纳结构的纳米蚀刻沉积方法，其用于微电子学、催化和诊断学。AFM针尖可涂布有金属前体，该前体在衬底上构图。构图的前体可通过加热转化为金属态。可得到高分辨率和极好的对准性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 蚀刻 作为 构图 手段 制造 导电 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以预定图案将导电涂层沉积在衬底上的方法，该法包括：通过纳米蚀刻技术使用涂有前体的针尖以所需图案将前体沉积在衬底上；使前体与配体接触；施加足够能量以将电子从配体转移到前体，由此分解前体从而以所需图案形成导电沉积物，并且因此直接在衬底上形成导电图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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